In dieser Arbeit werden Ergebnisse zur
reaktiven epitaktischen Schichtabscheidung
von CoSi$_2$ auf Si(001)-basierten epitaktischen
Heterostrukturen präsentiert. Während der
Abscheidung wurde Reflexionsbeugung
hochenergetischer Elektronen (RHEED) zur in situ
Charakterisierung der Oberfläche eingesetzt.
Mit Hilfe eines Computerprogrammes zur
kinematischen Simulation von
RHEED-Beugungsdiagrammen konnten die aufgenommenen
Beugungsbilder von A- und B-Typ-CoSi$_2$
interpretiert werden. Aus weiteren Analysen
(XRD, RBS, XRR, TEM, TED)
ergab sich, daß sich bei tiefen
Substrattemperaturen CoSi$_2$-Schichten
bilden, die A- und B-Typ-CoSi$_2$ enthalten.
Schichten, die bei hohen Temperaturen gefertigt
wurden, weisen nur A-Typ CoSi$_2$ auf.
Klassifikation (DDC)
530
Normschlagwörter (GND)
Cobaltdisilicid
Epitaxie
Zwillingsbildung
RHEED
Oberflächenstruktur
Röntgenbeugung
Durchstrahlungselektronenmikroskopie
Temperaturabhängigkeit
Den akademischen Grad verleihende / prüfende Institution