In dieser Arbeit wurde der Einfluss dünner Siliciumdioxidschichten
auf die im Co(20 nm)/Ti(5 nm)/SiO$_{2}$(0...3 nm)/Si(100) System,
bei einer Kurzzeittemperung, ablaufenden Festphasenreaktionen
untersucht. Weiterhin wurden Festphasenreaktionen an Co/C/Si(100)
und Ti/Co/C/Si(100) Schichtsystemen untersucht. Plasmaätzprozesse
wurden zur Entfernung der, im Co/Ti/Si-System nach Temperung
entstehenden, reaktionsbedingten Deckschicht verwendet.
Die Charakterisierung der Proben erfolgte mittels elektrischer Messungen,
TEM, STM, XRD, RBS und AES.
Freie Schlagwörter
Cobaltfluorid
Klassifikation (DDC)
530
Normschlagwörter (GND)
Doppelschicht
Cobaltdisilicid
Cobalt
Titan
Kohlenstoff
Siliciumdioxid
Epitaxie
Plasmaätzen
Den akademischen Grad verleihende / prüfende Institution