Alternative Way for Detecting  Franck-Condon Shifts from Thermally Broadened Photoneutralization  Cross-Section Bands of Deep Traps in Semiconductors

AutorIn: Roland Pässler
Titel: Alternative Way for Detecting Franck-Condon Shifts from Thermally Broadened Photoneutralization Cross-Section Bands of Deep Traps in Semiconductors
Zitierfähige Url:: https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bsz:ch1-201000270
Quellenangabe: Physica Status Solidi. B: Basic Research. - 186. 1994, 2, K63 - K68; doi:10.1002/pssb.2221860234
Abstract (DE): no abstract
Andere Ausgabe: DOI: 10.1002/pssb.2221860234
Freie Schlagwörter: Bandstruktur; Capture; Depths; GAP; GaAs; Level Optical Spectroscopy; O-Donor; Phonon Interaction; Phononenwechselwirkung; Photoionization; Photoneutralisation; Practicable Method; Transitions
Klassifikation (DDC): 530
Normschlagwörter (GND): Franck-Condon-Prinzip; Halbleiter; Tiefe Störstelle; Wirkungsquerschnitt
Publizierende Institution: Technische Universität Chemnitz, Chemnitz
URN Qucosa: urn:nbn:de:bsz:ch1-201000270
Veröffentlichungsdatum Qucosa: 29.03.2010
Dokumenttyp: Artikel
Sprache des Dokumentes: Englisch